柵氧老化下SiC MOSFET開通瞬態(tài)柵極振蕩特性研究
中國電機工程學報
頁數(shù)： 10 2023-08-07
摘要： 柵氧老化問題已成為制約碳化硅(SiC)金屬半導體氧化物場效應管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)可靠性的關鍵因素，該文嘗試利用SiC MOSFET高速開關在變換器中引起的高頻開關振蕩獲取柵氧狀態(tài)信息，重點研究柵氧老化對開通瞬態(tài)柵極高頻振蕩特性的影響。首先，分析SiC MOSFET柵氧老化機理及其對... （共10頁）
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