基于蒙特卡羅模擬研究鍺死層對(duì)高純鍺探測(cè)效率的影響

摘要： 為了更精確方便地分析測(cè)量樣品的放射性含量，本文提出了利用蒙特卡羅應(yīng)用軟件工具（Geant4）獲取高純度鍺（HPGe）探測(cè)器的全能峰效率曲線(xiàn)，進(jìn)行放射性樣品測(cè)量中全能峰效率的模擬及修正。測(cè)量距離高純鍺探頭25 cm處探測(cè)器對(duì)點(diǎn)源中不同特征能量γ射線(xiàn)的實(shí)驗(yàn)探測(cè)效率，與模擬探測(cè)效率進(jìn)行對(duì)比，采用Geant4模擬方式研究了高純鍺晶體表面死層對(duì)探測(cè)器效率的影響。通過(guò)修正上、下死層厚度依次...