SiC探測器的中子和γ性能測試

摘要： 第三代SiC半導體探測器具有體積小、響應時間快、中子/伽馬（n/γ）甄別容易等優(yōu)點，廣泛應用于反應堆堆芯劑量監(jiān)測。本文針對自研的第三代Si C半導體探測器，采用電子束蒸發(fā)真空鍍膜的技術將中子轉換層材料6LiF(6Li豐度為95%)噴鍍到SiC基底上，厚度為25μm，實現了中子轉換層厚度優(yōu)化。利用241Am α放射源（活度9.37×10~3 Bq）開展α粒子響應信號幅度的測量，并... （共6頁）