徑向湍性輸運(yùn)條件下CFETR平行熱通量及包層能量沉積模擬

摘要： 采用BOUT++輸運(yùn)程序與PFCFlux程序的耦合對(duì)CFETR包層第一壁上的能量沉積情況進(jìn)行了模擬。研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)湍性輸運(yùn)系數(shù)為50m~2·s^-1時(shí)，最外閉合磁面上的極向平均平行熱通量為14058.5MW·m^-2，進(jìn)入刮削層的等離子體功率P_(sol)的值為197.4MW;CFETR包層第一壁上的能量沉積主要集中于真空室壁靠近中心螺線管的高場側(cè)區(qū)域，最大熱通量出現(xiàn)在這...