概述
LY4054 是一款完整的單節(jié)鋰離子電池恒流恒壓線性充電IC。它采用極小的SOT-23-5 封裝,只需要外接極少的外部元件,使它能真正的適用于便攜式產(chǎn)品的應(yīng)用。而且,LY4054 是專門為USB電源特性而設(shè)計的。同時,LY4054也能作為一個獨立的線性鋰離子電池充電器。
由于它有內(nèi)部完善的MOSFET構(gòu)架,所以無需外接任何感應(yīng)電阻和二極管。在大功率負(fù)載或高溫環(huán)境下工作時,熱反饋將自動控制充電電流,從而控制晶片的溫度。充電電壓被固定在4.2V,充電電流通過別接一個電阻來設(shè)定。在充電電壓達(dá)到滿電量電壓后,充電電流降至設(shè)定電流值的1/10時,AP8054將自動停止充電。
當(dāng)供電電源(一般電源適配器或USB電源)被取走,AP8054自動進入一個低電流模式,此時耗電池電流低于2uA。LY4054還能進一個關(guān)斷模式,在此模式下,供電電流減小至25uA。
它還有其他特性,包括充電電流監(jiān)測,低壓關(guān)斷,自動再充電,另有一個狀態(tài)腳來指示充電完成或者外接電源是否接上。
特性
充電電流可編程,最高可至800mA。
無需外接MOSFET、感應(yīng)電阻和二極管。
帶過溫保護的恒流恒壓充電使充電速度更快而無需擔(dān)心過熱。
可從USB口直接給單顆鋰離子電池充電。
預(yù)設(shè)4.2V充電電壓,精度達(dá)±1% 。
關(guān)斷模式只需25uA的支持電流。
涓流充電隔值2.9V。
可設(shè)定無涓流充電模式。
軟啟動,能有效限制沖擊電流。
SOT23-5的貼片小封裝。
應(yīng)用
移動電話
MP3播放器
充電器藍(lán)牙設(shè)備
管腳應(yīng)用
CHRG(1):開漏極充電狀態(tài)輸出腳。當(dāng)給電池充電時,內(nèi)部N-MOS管將此引腳拉低,充電
狀態(tài)指示LED亮;當(dāng)充電完成后,內(nèi)部N-MOS管高阻態(tài),LED滅。
GND(2):電源地。
BAT(3):充電電流輸出腳。提供充電電流給電池,并控制充電后的最終電壓在4.2V。內(nèi)部精確電阻分壓器從這腳引出,從而控制輸出電壓。在關(guān)斷模式下,此電阻分壓器從這腳斷開連接。
VCC(4):電源輸入正極。給充電器供電,電壓范圍可從4.5V到6.5V。在IC的VCC處應(yīng)連接一個1uF電容入地,以減小紋波。
PROG(5):充電電流編程,充電電流監(jiān)測與充電開關(guān)。充電電流可通過在此腳到地之間連接一個1%的電阻來設(shè)定。當(dāng)IC處于恒流充電狀態(tài)時,此腳上的電平定義為1V。在所有工作狀態(tài)下,設(shè)定的充電電流的大小可以通過下式來計算:
此腳也可作為充電開關(guān)腳,將此腳和地之間斷開,充電器將進入關(guān)斷模式,充電停止,IC的輸入電流降至25uA以下。
絕對值
工作范圍
電子特性輸入電壓= 5V; TJ= 25°C; 特別說明除外。
電子特性(續(xù)表)
輸入電壓= 5V;TJ= 25°C;特別說明除外。
標(biāo)注1:超過絕對極限值可能會損壞IC。
標(biāo)注2:超出它的工作范圍IC不能保證正常工作。
標(biāo)注3: 支持電流包括PROG 腳電流(近似100µ;A),但不包括通過BAT腳流到電池的電流(近似100mA).
標(biāo)注4: ITERM 是PROG腳電阻設(shè)定充電電流值的一部分
應(yīng)用指引
穩(wěn)定性因素
恒流反饋控制環(huán)路無需要輸出電容就能輸出穩(wěn)定的電壓給外接在充電器輸出端上的電池。如果沒有外接電池,輸出應(yīng)接上一個輸出電容以減小紋波電壓。當(dāng)使用容量大,低ESR的陶瓷電容時,在電容上串一個1Ω為佳,當(dāng)使用鉭電容時,無需加串聯(lián)電阻。
在恒流模式,PROG腳是反饋環(huán)路,而不是電池。恒流模式的穩(wěn)定性受PROG腳的阻抗影響。如沒有外加電容在PROG腳上時,當(dāng)編程電阻高至20KΩ時,充電器仍然能保持穩(wěn)定;然而,若外加電容在這腳上,最大允許編程電阻將會被減小。
VCC 旁路電容
很多類型的電容都能作為旁路電容使用,然而,必須謹(jǐn)慎地使用多層陶瓷電容。因為在一定的啟動條件下,電容受到高壓瞬態(tài)沖擊,某些陶瓷電容將會產(chǎn)生自振。例如當(dāng)連接充電器至一個波動的電源上時,就會發(fā)生如上情況。串一個1.5Ω電阻在電容上能大大減小啟動時的沖擊電壓。
耗散功率
通過熱反饋減小充電電流的條件可以近似地估算IC耗散的功率。幾乎所有的功率損耗都是由內(nèi)部的MOSFET產(chǎn)生的,這個近似的計算公式如下式:
PD = (VCC - VBAT) · IBAT
熱保護時IC周圍的溫度是:
TA = 120°C - PDθJA
TA = 120°C - (VCC - VBAT) · IBAT · θJA
散熱考慮
因為IC是小尺寸SOT23-5封裝,如何使用PCB布局來散熱對于使充電電流最大化是非常重要的。散熱路徑是由IC的晶片到引腳,再到焊盤(特別是地),然后到PCB銅皮。PCB板將會被作為一個散熱器,因此PCB上的焊盤應(yīng)該盡量的寬,并相應(yīng)加大銅皮以將熱量擴散到空氣中。當(dāng)設(shè)計PCB布局的時候,其他PCB上的發(fā)熱元件也必須考慮,不應(yīng)和充電器靠近,因為整體溫度的上升也會影響充電器的充電電流。
包裝尺寸
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