DFB激光器

工藝結(jié)構(gòu)

　　制造工藝　DFB芯片的制作工藝非常復(fù)雜，體現(xiàn)了半導(dǎo)體產(chǎn)品在生產(chǎn)制造上的最復(fù)雜程度，下表是DFB激光器的主要生產(chǎn)工藝流程（從材料生長(zhǎng)到封裝的整個(gè)過程）：

　　DFB芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)　DFB芯片大?。喝缦聢D，芯片大小可以在成人大拇指上形象地看出來(lái)。

　　DFB芯片設(shè)計(jì)：芯片分為P極和N極，當(dāng)注入p-n結(jié)的電流較低時(shí)，只有自發(fā)輻射產(chǎn)生，隨電流值的增大增益也增大，達(dá)閾值電流時(shí)，p-n結(jié)產(chǎn)生激光。其注入電流方向和激光發(fā)射示意圖如下：

應(yīng)用原理

　　一、光纖通訊

　　通訊是DFB的主要應(yīng)用，如1310nm，1550nm DFB激光器的應(yīng)用，這里主要介紹非通訊波段DFB激光器的應(yīng)用。

　　二、可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜技術(shù)（TDLAS）

　　a) 過程控制 (HCl， O2 …)

　　b) 火災(zāi)預(yù)警 (CO/CO2 ratio)

　　c) 成分檢測(cè) (moisture in natural gas)

　　d) 醫(yī)療應(yīng)用 (blood sugar， breath gas， helicobacter)

　　e) 大氣測(cè)量 (isotope composition of H2O， O2， CO)

　　f) 泄漏檢查 (Methane)

　　g) 安全 (H2S， HF)

　　h) 環(huán)境測(cè)量 (Ozone， Methane)

　　i) 科研 (Mars and space missions)

　　j) …

　　三、原子光譜學(xué)應(yīng)用

　　k) 原子鐘 (GALILEO， chip scale atomic clock)

　　l) 磁力計(jì) (SERF)

　　m) ...

　　四、新興市場(chǎng)

　　a) 精密測(cè)量 (Ellipsometry， 3D vision)

　　b) 夜視儀

　　c) 同位素監(jiān)測(cè) (distinction of 235UHF / 238UHF)

　　d) …

　　下表是DFB一些主要波長(zhǎng)在激光氣體分析、原子鐘應(yīng)用、Nd：YAG激光器種子源等領(lǐng)域上的應(yīng)用：

廠商現(xiàn)狀

　　當(dāng)前，DFB激光器芯片技術(shù)基本上由德國(guó)、美國(guó)、日本等發(fā)達(dá)國(guó)家掌握，比如德國(guó)Nanoplus、Sacher、Eagleyard、Toptica公司，美國(guó)Thorlabs、EM4、Power Technology、Sarnoff公司，日本NTT、Oclaro等公司。廠商非常多，但能夠?qū)崿F(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)的廠家并不多，主要有Nanoplus、Eagleyard、NTT、Thorlabs等幾家公司。

　　目前國(guó)內(nèi)還沒有成熟的DFB芯片生產(chǎn)技術(shù)，由于成品率低基本上沒有形成商業(yè)化，國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的DFB激光器主要是基于對(duì)國(guó)外芯片的封裝生產(chǎn)，主要表現(xiàn)為對(duì)通訊波段的生產(chǎn)和應(yīng)用。

發(fā)展

　　DFB激光器的發(fā)展方向是，更寬的諧調(diào)范圍和更窄的線寬，在一個(gè)DFB激光器集成兩個(gè)獨(dú)立的光柵，實(shí)現(xiàn)更寬的波長(zhǎng)諧調(diào)范圍，比如達(dá)到100nm諧調(diào)范圍，以及更窄的光譜線寬，最終用一個(gè)DFB激光器實(shí)現(xiàn)檢測(cè)多種氣體的功能；更長(zhǎng)的中心波長(zhǎng)，從750nm到3500nm，并逐漸往4000nm甚至更高的中心波長(zhǎng)發(fā)展；更高的功率，由于目前DFB激光器功率普遍較低，高功率能夠?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)距離、多路等更廣泛的應(yīng)用。