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RRAM 又名:阻變式存儲(chǔ)器

RRAM,阻變式存儲(chǔ)器(Resistive Random Access Memory), 可顯著提高耐久性和數(shù)據(jù)傳輸速度的可擦寫內(nèi)存技術(shù)。RRAM是一種“根據(jù)施加在金屬氧化物(Metal Oxide)上的電壓的不同,使材料的電阻在高阻態(tài)和低阻態(tài)間發(fā)生相應(yīng)變化,從而開啟或阻斷電流流動(dòng)通道,并利用這種性質(zhì)儲(chǔ)存各種信息的內(nèi)存”。

  另一種解釋

  RAM,又稱憶阻器,又名記憶電阻(英語(yǔ):memory resistors),是一種被動(dòng)電子元件。憶阻器被認(rèn)為是電路的第四種基本元件,僅次于電阻器、電容器及電感元件。

  憶阻器可以在關(guān)掉電源后,仍能“記憶”通過的電荷。兩組的憶阻器更能產(chǎn)生與晶體管相同的功能,但更為細(xì)小。最初于1971年,柏克萊加州大學(xué)的蔡少棠預(yù)測(cè)憶阻器的出現(xiàn),之后從西元兩千年始,研究人員在多種二元金屬氧化物和鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的薄膜中發(fā)現(xiàn)了電場(chǎng)作用下的電阻變化,并應(yīng)用到了下一代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器-阻抗存儲(chǔ)器(RRAM)中。2008年4月,惠普公司公布了基于TiO2的RRAM器件,并首先將RRAM和憶阻器聯(lián)系起來。

  最新動(dòng)向

  三星電子成功開發(fā)出備受業(yè)界矚目的阻變式存儲(chǔ)器(Resistive Random Access Memory)“可顯著提高耐久性和數(shù)據(jù)傳輸速度的可擦寫內(nèi)存技術(shù)”。

  利用三星電子開發(fā)成功的RRAM技術(shù)制成的內(nèi)存產(chǎn)品,和現(xiàn)有內(nèi)存相比,擦寫速度提高了100萬(wàn)倍,可反復(fù)擦寫1兆次,保證了產(chǎn)品優(yōu)異的耐久性。不僅如此,還可以大幅降低電流量,因此在業(yè)界產(chǎn)生了極大的反響。而且,該產(chǎn)品將原來分別需要一個(gè)晶體管和寄存器(Register)的1T1R(1 Transistor 1 Register) RRAM結(jié)構(gòu)變成不需要額外晶體管的結(jié)構(gòu),因此可以提供進(jìn)一步擴(kuò)展內(nèi)存容量的可能性。


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